据最新披露，三星集团计划在未来十年豪掷1000万亿韩元（约6460亿美元）用于半导体与AI基础设施，而SK海力士则明确推进赴美上市以融资290亿美元。这一系列巨额资本开支计划将于6月29日由韩国总统主持的国家简报会上正式官宣。

随着新投资计划的正式公布进入倒计时，市场关注的焦点已从单纯的“产能扩张”转向资金的精准投放路径，以及这场产能狂飙能否在长期的供应短缺周期内转化为实质性的利润回报与股东价值。

6460亿美元投资落地与融资路径

此次数千亿美元的投资计划，核心目标直指AI时代的高附加值存储产品与基础设施。

据韩国媒体披露，三星集团拟在未来十年支出1000万亿韩元（约6460亿美元），这将是韩国历史上规模最大的投资计划。韩国总统李在明将于6月29日主持国家简报会正式宣布该计划，总统政策主管 Kim Yong-beom 透露，届时将公布“非常不寻常”的投资数字，重点聚焦半导体、AI数据中心和物理AI。此外，三星高管李在镕预计于7月2日公布位于牙山的数据中心投资计划。

与此同时，SK海力士的融资动作同样激进。为支持其未来五年产能翻倍的战略目标，SK海力士计划赴美上市融资290亿美元。这两大巨头的资本开支扩张，为全球存储市场的产能跃升提供了明确的量级指引。

技术路线分化与产能结构性重塑

在大幅削减NAND闪存产能后，三星与SK海力士正将资源重心全面转向HBM及下一代DRAM产线。在HBM4等下一代技术路线上，两家巨头的战略分化已初步显现，这也决定了巨额资本开支的具体流向。SK海力士选择与台积电合作，采用其12nm制程推进HBM4研发与量产；而三星则坚持垂直整合战略，采用自研的SF4X逻辑节点。

这种技术路线的差异，意味着数千亿美元的资金将大量流入先进制程晶圆厂建设、极紫外（EUV）光刻机采购以及与之配套的先进封装产线扩建中。为提升高带宽内存的良率与产能，针对硅通孔（TSV）刻蚀、热压键合等先进封装技术的产线升级，将占据相当比例的投资份额。

长协机制锁定供需紧平衡红利

天量资本开支的背后，是存储厂商对未来数年供需紧平衡的强烈预期。目前，全球主要存储原厂的HBM与先进DRAM产能已全线爆满，业内普遍预计高端存储芯片的供应短缺状态将持续至2028年前后。

为锁定长期收益并规避周期波动，三星与SK海力士已全面推行长期供应协议（LTA）框架。SK海力士此前已与微软达成数百亿美元的三年期DDR5供应协议，并正与谷歌推进为期五年的通用DRAM长约。这些长约引入了10%至30%的预付款机制，并包含最低价格保障及违约金条款，为巨额资本开支提供了坚实的现金流安全垫。通过结构性调整产能并计划大幅上调DRAM价格，两家企业正试图将存储芯片从强周期大宗商品，转化为具备稳定溢价能力的科技核心零部件。

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